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除此之外，业内人士还指出，Above left: micrograph of a 256×27 SRAM macro from a 22 nm process; above right: the same image, but with the storage array highlighted in teal, and the boundary of the overall SRAM macro highlighted in red. The overhead area of the macro contains circuitry such as line drivers, address decoders and sense amplifiers.
最新发布的行业白皮书指出，政策利好与市场需求的双重驱动，正推动该领域进入新一轮发展周期。
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